اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 850 Evo ظرفیت 250 گیگابایت

در اس اس دی 850 Evo سامسونگ از سلول‌های فلش مموری سه‌بعدی و عمودی (3D V-NAND) استفاده شده‌است. سلول‌های فلش مموری NAND عادی که در مقابل مشابه 3D می‌توان آنها را صفحه‌ای یا 2D نامید، در اکثر قریب به اتفاق اس اس دی‌های موجود مورد استفاده قرار می‌گیرند. این سلول‌های 2D به صورت تخت روی سطح ویفر سیلیکونی قرار می‌گیرند و مثل یک لایه روی سطح ویفر را می‌پوشانند. اما در فناوری 3D V-NAND شاهد این هستیم که سلول‌های ذخیره‌کننده‌ی داده به صورت عمودی روی هم انباشته می‌شوند و می‌توان تا 32 لایه از این سلول‌ها را روی هم قرار داد. در نتیجه در یک سطح از ویفر که از فناوری 3D V-NAND استفاده می‌کند، سلول‌های به مراتب بیشتری از ویفر 2D جا می‌شوند. ساده‌ترین نتیجه‌ی استفاده از این فناوری، افزایش فضای ذخیره‌ی داده‌ها است. سامسونگ ادعا می‌کند استفاده از این فناوری علاوه بر افزایش حجم فضای ذخیره‌سازی، عمر مفید اس اس دی را هم افزایش می‌دهد. این عدد که با عبارت TBW نمایش داده می‌شود، نشان‌دهنده‌ی حجم داده‌ای که پیش از غیرقابل اطمینان شدن اس اس دی می‌توان با خیال راحت روی آن کپی کرد. به عنوان مثال، میزان TBW برای ظرفیت‌های 120 و 240 گیگابایت این اس اس دی 75 ترابایت است؛ یعنی اگر قصد داشته‌باشید روزانه 40 گیگابایت داده را روی این ظرفیت‌های 850 Evo کپی کنید، می‌توانید تا 5 سال با خیال راحت از آن استفاده کنید. این عدد در مورد ظرفیت‌های بیشتر، دوبرابر می‌شود و حتی از میزان هم عبور خواهد کرد. به عنوان مثال در مورد ظرفیت‌های 2 و 4 ترابایتی این عدد به 300 ترابایت می‌رسد.